9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7619DN-T1-GE3,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7619DN-T1-GE3参考价格为0.87000美元。Vishay Siliconix SI7619DN-T1-GE3封装/规格:MOSFET P-CH 30V 24A PPAK1212-8。您可以下载SI7619DN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7617DN-T1-GE3是MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK,包括TrenchFETR系列,它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装,数据表注释中显示了用于SI7617DNV-GE3的零件别名,该SI7617DN-GE3提供SMD/SMT等安装样式功能,封装盒设计用于PowerPAKR 1212-8以及Si技术,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ)。此外,安装类型为表面安装,该器件提供1通道数量的通道,该器件具有供应商器件封装的PowerPAKR 1212-8,配置为单一,FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物,最大功率为52W,晶体管类型为1 P通道,漏极至源极电压Vdss为30V,输入电容Ciss Vds为1800pF@15V,FET特性为标准,25°C的电流连续漏极Id为35A(Tc),最大Id Vgs的Rds为12.3 mOhm@13.9A,10V,Vgs的最大Id为2.5V@250μA,栅极电荷Qg Vgs为59nC@10V,Pd功耗为52 W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为11 ns,上升时间为43ns,Vgs栅极-源极电压为25V,Id连续漏极电流为-35A,Vds漏极-源极击穿电压为-30V,Rds导通漏极-漏极电阻为12.3mOhm,晶体管极性为P沟道,典型关断延迟时间为30ns,典型导通延迟时间为40ns,Qg栅极电荷为20.5nC,并且前向跨导Min为35S,并且信道模式为增强。
SI7615DN-T1-GE3是VISHAY制造的MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8。SI7615DN-T1-GE3在PowerPAK®1212-8封装中提供,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8、P沟道20V 35A(Tc)3.7W(Ta)、52W(Tc)表面安装PowerPAK?1212-8,Trans MOSFET P-CH 20V 22.6A 8引脚PowerPAK 1212 T/R。
SI7617DN-T1-E3,带有VISHAY制造的电路图。SI7617DN-T1-E3采用QFN8封装,是IC芯片的一部分。