Infineon系列分立HEXFET®功率MOSFET包括表面安装和引线封装的N沟道器件。以及可以解决几乎任何电路板布局和热设计挑战的形状因素。在整个范围内,电阻基准降低了传导损耗,使设计人员能够提供最佳的系统效率。
特色
- 针对分发合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
- 根据JEDEC标准进行产品鉴定
- 逻辑电平:针对10V栅极驱动电压(称为正常电平)进行了优化,能够在4.5V栅极驱动电压下驱动
- 行业标准表面安装组件
- 能够进行波峰焊接
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
100+ | 1.24170 | 124.17010 |
1000+ | 1.17140 | 1171.40900 |
3000+ | 1.04255 | 3127.67400 |
10000+ | 0.80293 | 8029.33000 |
50000+ | 0.75748 | 37874.20000 |
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Infineon系列分立HEXFET®功率MOSFET包括表面安装和引线封装的N沟道器件。以及可以解决几乎任何电路板布局和热设计挑战的形状因素。在整个范围内,电阻基准降低了传导损耗,使设计人员能够提供最佳的系统效率。
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。