9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMP6023LSS-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMP6023LSS-13参考价格为0.91000美元。Diodes Incorporated DMP6023LSS-13封装/规格：MOSFET P-CH 60V 6.6A 8SO。您可以下载DMP6023LSS-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMP6023LFG-7是MOSFET P-Ch 60V Enh Mode 20Vgs 53.1nC 2569pF，包括DMP60系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.002540盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于PowerDI-3333，以及Si技术，该设备也可以用作单配置。此外，Pd功耗为1 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为62 ns，上升时间为7.1 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为-7.7 A，Vds漏极-源极击穿电压为-60 V，并且Vgs第栅极-源极阈值电压为-3V，Rds漏极-源极电阻为25mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为110ns，典型接通延迟时间为6ns，Qg栅极电荷为53.1NC，沟道模式为增强。
DMP6023LE-13带用户指南，包括-3 V Vgs第三栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于-60 V，提供单位重量功能，如0.006632 oz，典型开启延迟时间设计为6 ns，该器件还可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为DMP60系列，该器件的上升时间为7.1 ns，漏极-源极电阻Rds为28 mOhms，Qg栅极电荷为53.1 nC，Pd功耗为2 W，封装为卷轴式，封装盒为SOT-223-4，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为-7A，下降时间为62ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
DMP6023LFG-13带有电路图，包括卷筒包装，设计用于DMP60系列，数据表说明中显示了用于Si的技术。
