9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SISS27DN-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SISS27DN-T1-GE3参考价格为0.88000美元。Vishay Siliconix SISS27DN-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S。您可以下载SISS27DN-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SISS23DN-T1-GE3是MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供TrenchFET功率MOSFET等商标功能，封装盒设计为在8-VDFN暴露焊盘中工作，以及Si技术，其工作温度范围为-50°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有供应商器件封装的PowerPAKR 1212-8S，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为57W，晶体管类型为1 P通道，漏极到源极电压Vdss为20V，输入电容Ciss Vds为8840pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为50A（Tc），最大Id Vgs的Rds为4.5mOhm@20A，4.5V，Vgs最大Id为900mV@250μA，栅极电荷Qg Vgs为300nC@10V，Pd功耗为57W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为50纳秒，上升时间为50 ns，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为-50 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Vgs栅-源极阈值电压为-0.4 V至-0.9 V，Rds漏极源极电阻为4.5 mOhms，并且晶体管极性是P沟道，并且典型关断延迟时间是140ns，并且典型接通延迟时间是45ns，并且Qg栅极电荷是93nC，并且正向跨导Min是44S，并且沟道模式是增强。
SISNAP915DK是RF EVAL 915MHZ SYNAPSE DEV套件，包括收发器、微控制器类型，它们设计用于使用Si1000工具进行评估。提供的内容如数据表说明所示，用于2个板、天线、电池、电缆、CD、电源适配器，提供SiSNAP915等系列功能。产品设计用于开发套件，除了915MHz频率之外，该器件还可以用作Si1000用于相关产品。此外，描述功能是Synapse Network Appliance Protocol（SNAP）网络开发工具包。
SISNAP915EK是RF EVAL 915MHZ模块天线，包括Synapse Network Appliance Protocol（SNAP）独立模块描述功能，设计用于与相关产品一起使用的Si1000，频率如数据表说明所示，用于915MHZ，提供开发套件等产品功能，系列设计用于SiSNAP915，天线提供的内容，该设备也可作为Si1000工具用于评估。此外，类型为收发器、微控制器。
