9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4435FDY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4435FDY-T1-GE3参考价格为0.51000美元。Vishay Siliconix SI4435FDY-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC。您可以下载SI4435FDY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4435DYTRPBF是MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC，包括PowerTrenchR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装。数据表注释中显示了用于SI4435DY_NL的零件别名，该SI4435DY_NL提供单位重量功能，如0.006596盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，除了8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为8-SO，配置为单四漏三源，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为1W，晶体管类型为1个P通道，漏极到源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为1604pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为8.8A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为20 mOhm@8.8A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为24nC@5V，Pd功耗为2.5 W，其最大工作温度范围为+175 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为25 ns，上升时间为13.5 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为-8.8A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Rds漏极源极电阻为20 mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为42 ns，典型接通延迟时间为13ns，正向跨导Min为24S，信道模式为增强。
SI4435DY-T1-REVA是由VISHAY制造的Trans MOSFET P-CH 30V 8A 8引脚SOIC N T/R。SI4435DY-T1-REVA采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分，支持Trans-MOSFET P-CH 30V 8A 8引脚SOIC N T/R。
SI4435DYTR是由IR制造的MOSFET P-CH 30V 8A 8-SOIC。SI4435DYTR可提供8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH30V 8A 8-SOIC、P沟道30V 8A（Tc）2.5W（Ta）表面安装8-SO。
SI4435DY-TR，带IOR制造的EDA/CAD模型。SI4435DY-TR在SOP8封装中提供，是FET的一部分-单个。
