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SSM6K513NU,LF

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A(Ta) 最大功耗: 1.25W(Ta) 供应商设备包装: 6-UDFNB (2x2) 工作温度: 150摄氏度(TA)
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.47659 3.47659
10+ 2.98407 29.84075
100+ 2.23081 223.08130
500+ 1.75278 876.39100
1000+ 1.35442 1354.42200
3000+ 1.23491 3704.74200
6000+ 1.15524 6931.45800
  • 库存: 0
  • 单价: ¥3.47659
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.48
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 最大功耗 1.25W(Ta)
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 15A(Ta)
  • 供应商设备包装 6-UDFNB (2x2)
  • 包装/外壳 6-WDFN Exposed Pad
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.1V@100A.
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 7.5 nC @ 4.5 V
  • 工作温度 150摄氏度(TA)
  • 导通电阻 Rds(ON) 8.9毫欧姆 @ 4A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1130 pF@15 V
  • 色彩/颜色

SSM6K513NU,LF 产品详情

东芝SSM6K硅N沟道小信号MOSFET是小型移动设备的理想选择。其中包括手机、笔记本电脑、便携式设备和小信号切换。SSM6K非常紧凑和薄,具有广泛的封装。此外,该设备还具有VDSS范围为12V至60V的低压驱动。该系列MOSFET的常见应用包括电源管理开关和高速开关。

特色

  • 装配底座:2.1 V
  • 装配底座:12 mΩ
  • 装配底座:8.9 mΩ
  • 装配底座:1130 pF
  • 装配底座:7.5 nC

应用

电源管理开关
SSM6K513NU,LF所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SSM6K513NU,LF 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SSM6K513NU,LF价格参考¥3.476592,你可以下载 SSM6K513NU,LF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SSM6K513NU,LF规格参数、现货库存、封装信息等信息!

东芝 (Toshiba)

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