9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IRFSL7762PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原始工厂和代理商等渠道购买。IRFSL7762PBF价格参考1.20000美元。Infineon Technologies IRFSL7762PBF封装/规格：MOSFET N-CH 75V 85A TO262。您可以下载IRFSL7762PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFSL7730PBF带有引脚细节，包括管封装，设计用于0.073511盎司单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-262-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，该器件提供375 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为115 ns，上升时间为120 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为246 A，Vds漏极-源极击穿电压为75V，Vgs栅极-源极阈值电压为3.7V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.6mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为180ns，典型接通延迟时间为21ns，Qg栅极电荷为271nC，正向跨导最小值为249S，沟道模式为增强。
IRFSL7734PBF带有用户指南，包括3.7 V Vgs第三栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于75 V，提供单位重量功能，如0.073511 oz，典型开启延迟时间设计为20 ns，以及124 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件的上升时间为123 ns，漏极-源极电阻Rds为3.5 mOhms，Qg栅极电荷为180 nC，Pd功耗为290 W，封装为管，封装盒为TO-262-3，沟道数为1沟道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏极电流为183 A，正向跨导最小值为250 S，下降时间为100 ns，配置为单一，信道模式为增强。
带有电路图的IRFSL7540PBF，包括增强信道模式，它们设计用于单配置，下降时间显示在数据表注释中，用于56纳秒，提供最小正向跨导特性，如110 S，Id连续漏极电流设计用于110 a，以及通孔安装样式，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为TO-262-3，器件采用管封装，器件具有160W的Pd功耗，Qg栅极电荷为130nC，Rds漏极-源极电阻为5.1mOhms，上升时间为76ns，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为58ns，典型接通延迟时间为12ns，单位重量为0.073511oz，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极电压为20V，Vgs第栅极-源阈值电压为3.7V。
