9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQM120N02-1M3L_GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQM120N02-1M3L_GE3参考价格$3.17000。Vishay Siliconix SQM120N02-1M3L_GE3封装/规格：MOSFET N-CH 20V 120A TO263。您可以下载SQM120N02-1M3L_GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SQM120N03-1M5L-GE3是MOSFET N-CH 30V 120A TO-263，包括SQ系列系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在0.068654盎司的数据表注释中，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及TO-263-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为375 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为11 ns，上升时间为11纳秒，Vgs栅源电压为20 V，并且Id连续漏极电流为120A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.5mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为64ns，典型接通延迟时间为18ns，Qg栅极电荷为179nC。
SQM110P06-8m9L-GE3，带有用户指南，包括TrenchFET商品名，它们设计用于Si技术，系列如数据表注释所示，用于SQ系列。
SQM110N04-03-GE3，带有VISHAY制造的电路图。SQM110N04-03-GE3采用SO-263封装，是IC芯片的一部分。
