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SI3127DV-T1-GE3

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.5A(Ta)、13A(Tc) 最大功耗: 2W(Ta),4.2W(Tc) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
3000+ 1.47900 4437.00000
  • 库存: 3000
  • 单价: ¥1.26099
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥1.26
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 制造厂商 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
  • 场效应管类型 P-通道
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
  • 供应商设备包装 6-TSOP
  • 包装/外壳 SOT-23-6薄型,TSOT-23-6
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 30 nC @ 10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 3.5A(Ta)、13A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 89毫欧姆 @ 1.5A, 4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 833 pF @ 20 V
  • 最大功耗 2W(Ta),4.2W(Tc)
  • 色彩/颜色 -

SI3127DV-T1-GE3 产品详情

SI3127DV-T1-GE3所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SI3127DV-T1-GE3 由 威世半导体 (Vishay Cera-Mite) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SI3127DV-T1-GE3价格参考¥1.260989,你可以下载 SI3127DV-T1-GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SI3127DV-T1-GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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