9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的RW1E025RPT2CR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RW1E025RPT2CR参考价格为0.51000美元。Rohm Semiconductor RW1E025RPT2CR封装/规格：MOSFET P-CH 30V 2.5A 6WEMT。您可以下载RW1E025RPT2CR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如RW1E025RPT2CR价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
RW1E015RPT2R是MOSFET P-CH 30V 1.5A WEMT6，包括RW1E015RP系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000289盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于SOT-563-6以及Si技术，该设备也可以用作1通道数量的通道。此外，该配置为1个P沟道ESD，该器件为1个P-沟道晶体管类型，该器件具有700 mW的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为13 ns，上升时间为8 ns，Vgs栅源电压为+/-20 V，并且Id连续漏极电流为-1.5A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为-1V，Rds导通漏极-漏极电阻为270mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为40ns，典型导通延迟时间为12ns，Qg栅极电荷为6.5nC，并且前向跨导Min为1.2S，并且信道模式为增强。
RW1E014SNT2R是ROHM制造的MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6。RW1E014SNT2R采用SOT-563、SOT-666封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6、N沟道30V 1.4B（Ta）700mW（Ta）表面安装6-WEMT。
RW1E015RP T2R，电路图由ROHM制造。RW1E015RP T2R在SOT-363封装中提供，是FET的一部分-单个。
