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CSD25304W1015T是MOSFET 20V P-Ch NexFET，包括CSD25304W1 015系列，它们设计用于卷盘封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000060盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于DSBGA-6以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有1.5 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为4 ns，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为-3 a，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs栅极-源极阈值电压为-0.8V，Rds导通漏极-漏极电阻为92mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为24ns，典型接通延迟时间为6ns，Qg栅极电荷为3.3nC。
CSD25303W1015是MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA，包括8 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于-20 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000060盎司，提供晶体管类型功能，如1个P通道，晶体管极性设计用于P通道，以及NexFET商品名，该器件也可以用作Si技术。此外，该系列为CSD25303W1015，该器件的漏极电阻为56 mOhms Rds，该器件具有1.5 W的Pd功耗，封装为卷轴式，封装外壳为DSBGA-6，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，并且Id连续漏极电流为-3A，并且配置为Single。
CSD25304W1015是MOSFET 20V P沟道NexFET Pwr MOSFET，包括1沟道数量的沟道，它们设计为与卷筒封装一起工作，系列如数据表注释所示，用于CSD25304W1 015，提供Si等技术特性，商品名设计用于NexFET，以及P沟道晶体管极性，该器件也可以用作1P沟道晶体管类型。
