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MCH3478-TL-W

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Ta) 最大功耗: 800mW (Ta) 供应商设备包装: 3mcph 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.11444 3.11444
10+ 2.52052 25.20529
100+ 1.71729 171.72920
500+ 1.28807 644.03850
1000+ 0.96605 966.05800
3000+ 0.88558 2656.76700
  • 库存: 6000
  • 单价: ¥3.11445
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.11
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
  • 包装/外壳 SC-70,SOT-323
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 2A(Ta)
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 1.8伏、4.5伏
  • 最大功耗 800mW (Ta)
  • 部件状态 过时的
  • 供应商设备包装 3mcph
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 130 pF@10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 165毫欧姆@1A,4.5V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 1.7 nC @ 4.5 V
  • 色彩/颜色

MCH3478-TL-W 产品详情

MCH3478-S-TL-H是一种N沟道功率MOSFET,30V,2A,165mΩ,单MCPH3,用于通用开关器件应用。

特色

  • 低RDS(打开)
  • 最小化传导损耗
  • 高速切换
  • 减少动态功耗
  • 低栅极驱动电压
  • 低压驱动
  • 无铅、无卤和RoHS合规
  • 环境考虑因素
  • ESD二极管-保护栅极
  • ESD电阻

应用

  • DC/DC转换器
  • 无线充电器,笔记本LiB,Pachinko,游戏控制器,火炉燃烧器
MCH3478-TL-W所属分类:分立场效应晶体管 (FET),MCH3478-TL-W 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MCH3478-TL-W价格参考¥3.114447,你可以下载 MCH3478-TL-W中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MCH3478-TL-W规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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