9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4401DDY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4401DDY-T1-GE3参考价格为0.91000美元。Vishay Siliconix SI4401DDY-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 40V 16.1A 8SO。您可以下载SI4401DDY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI4401BDY-T1-GE3是MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI4401BDY-GE3的零件别名，该SI4401BDY-GE3提供单位重量功能，例如0.006596盎司，除了8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数量的通道，供应商器件封装为8-SO，配置为单一，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为1.5W，晶体管类型为1个P通道，漏极至源极电压Vdss为40V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为8.7A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为14mOhm@10.5A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为55nC@5V，Pd功耗为1.5W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为15纳秒，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为8.7A，Vds漏极-源极击穿电压为-40V，Rds导通漏极-漏极电阻为14mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为97ns，典型接通延迟时间为16ns，沟道模式为增强型。
SI4401BDY-T1-E3..，带有VISHAY制造的用户指南。SOP-8中提供了SI4401BDY-T1-E3。封装，是IC芯片的一部分。
SI4401DDY-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SI4401DDY-T1-E3采用SOP8封装，是IC芯片的一部分。
