9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMP2066LSN-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMP2066LSN-7参考价格为0.51000美元。Diodes Incorporated DMP2066LSN-7封装/规格：MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3。您可以下载DMP2066LSN-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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DMP2066LSD-13是MOSFET 2P-CH 20V 5.8A 8-SOIC，包括DMP2066系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.030018盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2通道数量的通道，器件具有供应商器件封装的8-SOP，配置为双双漏极，FET类型为2 P通道（双），功率最大值为2W，晶体管类型为2 P沟道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为820pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为5.8A，最大Id Vgs为40mOhm@4.6A，4.5V，Vgs最大Id为1.2V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为10.1nC@4.5V，Pd功耗为2W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为23.4 ns，上升时间为9.9 ns，Vgs栅源电压为12V，Id连续漏电流为5.8A，Vds漏源击穿电压为-20V，Rds漏源电阻为40mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为28ns，典型接通延迟时间为4.4ns，沟道模式为增强。
DMP2066LSD-13-F，带有DIODES制造的用户指南。DMP2066LSD-13-F采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
DMP2066LSD-13-HN，电路图由DIODES制造。DMP2066LSD-13-HN采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
