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SI4894BDY-T1-E3是MOSFET N-CH 30V 8.9A 8-SOIC，包括卷轴封装，它们设计用于SI4894BDY-E3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及SOIC窄8封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为1.4 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为10 ns，上升时间为10纳秒，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为8.9A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-电源电阻为11mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为33ns，典型接通延迟时间为13ns，沟道模式为增强。
SI4894BDY-T1-E3，带有VISHAY制造的用户指南。SI4894BDY-T1-E3。SOP-8封装中提供，是IC芯片的一部分。
SI4894BDY-T1-E3-PBF，带有VISHAY制造的电路图。SI4894BDY-T1-E3-PBF采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
