9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7370DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7370DP-T1-GE3参考价格为3.21000美元。Vishay Siliconix SI7370DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8。您可以下载SI7370DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI7370DP-T1-E3是MOSFET N-CH 60V 9.6A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代包装一起工作。数据表备注中显示了SI7370DP-T1中使用的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及TrenchFET/PowerPAK商标中工作，该设备也可以用作PowerPAKR SO-8封装盒。此外，该技术为Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，通道数为1通道，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1.9W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为60V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为9.6A（Ta），最大Id Vgs的Rds为11mOhm@12A，10V，Vgs的最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为57nC@10V，Pd功耗为1.9W，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围为-55℃，下降时间为12纳秒，上升时间为12 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为9.6 A，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，Rds漏极源极电阻为11毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为50纳秒，典型开启延迟时间为16ns，信道模式为增强。
SI7370ADP-T1-GE3是MOSFET 60V 15.8A 5.2W 10mohm@10V，包括60V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计为以0.019048 oz的单位重量运行，数据表中显示了用于1 N沟道的晶体管类型，其提供晶体管极性特性，如N沟道，该器件也可以用作5.2W Pd功率耗散。此外，零件别名为SI7370ADP-GE3，该器件采用卷筒包装，该器件具有SOIC-8封装盒，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，Id连续漏电流为15.8A。
SI7370DP，带有SI制造的电路图。SI7370D可采用QFN封装，是FET的一部分-单个。
SI7370DP-T1，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SI7370DP-T1在QFN封装中提供，是FET的一部分-单个。
