雪崩加固技术
坚固的栅极氧化物技术
低输入电容
改进的门电荷
特色
- 雪崩加固技术
- 坚固的栅极氧化物技术
- 低输入电容
- 改进的门电荷
- 扩展安全操作区
- 较低泄漏电流：10μA（最大值）@VDS=100V
- 下rDS（开）：0.155Ω（典型值）
应用
- 其他工业
IRFM120ATF
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.3A（Ta） 最大功耗: 2.4W（Ta） 供应商设备包装: SOT-223-4 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 6.30132 | 6.30132 |
| 10+ | 5.51909 | 55.19090 |
| 100+ | 4.23130 | 423.13020 |
| 500+ | 3.34462 | 1672.31300 |
| 1000+ | 2.67567 | 2675.67200 |
| 2000+ | 2.66053 | 5321.06800 |
| 4000+ | 2.66053 | 10642.13600 |
- 库存: 29
- 单价: ¥6.30132
-
数量:
- +
- 总计: ¥6.30
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规格参数
- 长（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压标 (Vdss) 100伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 包装/外壳 至261-4，至261AA
- 漏源电流 (Id) @ 温度 2.3A（Ta）
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 22 nC@10 V
- 供应商设备包装 SOT-223-4
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 480 pF @ 25 V
- 最大功耗 2.4W（Ta）
- 导通电阻 Rds(ON) 200欧姆@1.15A，10V
- 色彩/颜色 -
IRFM120ATF 产品详情
先进功率MOSFET，Fairchild半导体
IRFM120ATF 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IRFV064 | 英飞凌 (Infineon) | IRFV064 | ¥1,575.83775 |
 | IRF3205PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A（Tc） 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥12.96479 |
| IRFU7746PBF | TRENCH 40<-<100V | ¥3.59458 | |
| IRF60B217 | TRENCH 40<-<100V | ¥4.0955 | |
| IRFI3306GPBF | IRFI3306G - 60V SINGLE N-CHANNEL | ¥12.35349 | |
| IRFZ46ZSPBF | IRFZ46 - 12V-300V N-CHANNEL POWE | ¥4.76061 | |
 | IRFZ24NPBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc） 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.93918 |
 | IRF3710PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 57A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥14.19608 |
 | IRFB4228PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 83A (Tc) 最大功耗: 330W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥30.63747 |
 | IRFZ34NPBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A（Tc） 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.89476 |
IRFM120ATF所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRFM120ATF 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRFM120ATF价格参考￥6.301323，你可以下载 IRFM120ATF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRFM120ATF规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
