9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STU6N65M2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STU6N65M2价格参考1.24000美元。STMicroelectronics STU6N65M2封装/规格：MOSFET N-CH 650V 4A IPAK。您可以下载STU6N65M2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STU6N60M2是MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2，包括MDmesh M2系列，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供安装类型功能，如通孔，包装箱设计用于IPAK-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有60W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为22.5 ns，上升时间为7.4 ns，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为4.5 a，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.2欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为24ns，典型接通延迟时间为9.5ns，Qg栅极电荷为8nC。
STU65N3LLH5是MOSFET N-Ch 30V 0.0061Ohm 65A pwr STripFET V，包括1.8 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如8.6 ns，典型的关闭延迟时间设计为32.4 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为STU65N3LLH5系列，该器件的上升时间为11.2 ns，漏极-源极电阻Rds为9.7 mOhms，Qg栅极电荷为8 nC，Pd功耗为50 W，封装为管，封装盒为IPAK-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为65 A，下降时间为6 ns，配置为单一。
STU6N62K3是由ST制造的MOSFET N-CH 620V 5.5A IPAK。STU6N82K3有TO-251-3长引线、IPAK、TO-251AB封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH620V 5.5A-IPAK、N沟道620V 5.5V（Tc）90W（Tc）通孔I-Pak、Trans MOSFET N-CH220V 5.5A 3引脚（3+Tab）IPAK管、MOSFET N-CH、620V-1.1欧姆5.5A。
