FDN306P

Name: FDN306P
Brand: 广东友台半导体 (UMW)
SKU: 7134247-FDN306P
Price: 1.163210 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 12伏漏源电流 (Id) @ 温度: 2.6A（Ta）最大功耗: 500mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 广东友台半导体 (UMW)
交期:2-3 工作日

渠道:

自营
得捷
贸泽

起订量: 1

数量	单价	合计
1+	1.16321	1.16321
100+	1.08715	108.71590
1000+	1.00676	1006.76300

库存: 12000
单价: ¥1.16321
数量:
- +
总计: ¥1.16

在线询价

温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

长（英寸） -
制造厂商广东友台半导体 (UMW)
部件状态可供货
技术 MOSFET（金属氧化物）
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
场效应管类型 P-通道
包装/外壳至236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备包装 SOT-23-3
漏源电压标 (Vdss) 12伏
最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 1.8伏、4.5伏
最大功耗 500mW (Ta)
漏源电流 (Id) @ 温度 2.6A（Ta）
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 17 nC @ 4.5 V
导通电阻 Rds(ON) 40毫欧姆 @ 2.6A, 4.5V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1138 pF@6 V
色彩/颜色 -

FDN306P 产品详情

PowerTrench®P沟道MOSFET，Fairchild半导体

PowerTrench®MOSFET是经过优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。它们结合了小栅极电荷（Qg）、小反向恢复电荷（Qrr）和软反向恢复体二极管，有助于快速切换AC/DC电源中的同步整流。
最新的PowerTrench®MOSFET采用了提供电荷平衡的屏蔽栅极结构。通过利用这一先进技术，这些设备的FOM（品质因数）显著低于前几代设备。
PowerTrench®MOSFET的软体二极管性能能够消除缓冲电路或更换更高额定电压的MOSFET。

特色

-2.6安培，-12伏
RDS（开启）=40 mΩ@VGS=-4.5 V
RDS（开启）=50 mΩ@VGS=-2.5 V
RDS（开启）=80 mΩ@VGS=-1.8 V
快速切换速度
用于极低RDS（ON）的高性能沟槽技术
超级SOT™-在相同的占地面积内，3提供了较低的RDS（ON）和比SOT23高30%的功率处理能力

应用

本产品通用，适用于许多不同的应用。
电池管理
负载开关
蓄电池保护

FDN306P 相关器件

型号	制造商	描述	价格
FDN-010	化学电子 (Chemtronics)	S/S .010" NEEDLE, 10/PK	¥1,616.99191
FDN-020	化学电子 (Chemtronics)	S/S .020" NEEDLE, 10/PK	¥1,932.89824
FDN360P(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.4171
FDN337N(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.33541
FDN308P(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.54865
FDN339AN(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.54865
FDN327N(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.43435
FDN358P(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.4846
FDN302P(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.44111
FDN336P(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥0.43435

FDN306P所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FDN306P 由广东友台半导体 (UMW) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FDN306P价格参考￥1.163210，你可以下载 FDN306P中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FDN306P规格参数、现货库存、封装信息等信息！