9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD18502Q5BT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD18502Q5BT参考价格为3.24000美元。德州仪器CSD18502Q5BT封装/规格：MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON。您可以下载CSD18502Q5BT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CSD18502Q5B是MOSFET N-CH 40V 100A 8VSON，包括NexFET？系列，它们设计为使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供NexFET等商标功能，包装箱设计为使用8-PowerTDFN以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有8-VSON（5x6）的供应商器件封装，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为3.2W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为5070pF@220V，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为26A（Ta），100A（Tc），最大Id Vgs为2.3mOhm@30A，10V，Vgs最大Id为2.2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为68nC@10V，Pd功耗为3.2W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为4ns，上升时间为6.8ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为204A，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs第栅极-源阈值电压为1.8V，Rds漏极电阻为3.3mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为23ns，典型导通延迟时间为5.3ns，Qg栅极电荷为52nC，正向跨导Min为143S。
CSD18501Q5A是MOSFET N-CH 40V 8SON，包括2.3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于1.8 V Vgs th栅极-源极阈值电压，Vgs栅极-源电压显示在数据表注释中，用于20 V，提供Vds漏极-源极击穿电压功能，如40 V，晶体管类型设计用于1 N沟道，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作NexFET商品名。此外，该技术是Si，该设备以8-VSON（5x6）供应商设备包提供，该设备具有NexFET？串联，Rds On Max Id Vgs为3.2mOhm@25A，10V，Rds On漏极-源极电阻为4.3mOhm，Qg栅极电荷为42nC，功率最大值为3.1W，Pd功耗为3.1W；封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为8-PowerTDFN，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，输入电容Cis-Vds为3840pF@20V，Id连续漏极电流为155 A，栅极电荷Qg-Vgs为50nC@10V，FET类型为MOSFET N沟道、金属氧化物、，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为40V，25°C的电流连续漏极Id为22A（Ta）、100A（Tc），配置为单一。
CSD18502KCS是TI制造的MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3。CSD18502KCS采用TO-220封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH40V 100A-TO220-3、N沟道40V 100V（Tc）259W（Tc）通孔TO-220-3、Trans-MOSFET N-CH-Si 40V 100A3-Pin（3+Tab）TO-220管、MOSFET 40-V、N-Chanel NxFT Pwr MOSFET。
