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NTS4001NT1G

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 270毫安(Ta) 最大功耗: 330mW (Ta) 供应商设备包装: SC-70-3(SOT323) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
100+ 0.23738 23.73860
1000+ 0.22394 223.94300
3000+ 0.19930 597.90900
10000+ 0.15349 1534.99000
50000+ 0.14481 7240.75000
  • 库存: 120000
  • 单价: ¥0.23739
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥0.24
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 包装/外壳 SC-70,SOT-323
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 2.5伏、4伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@100A.
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 270毫安(Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.5欧姆@10毫安,4V
  • 最大功耗 330mW (Ta)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 1.3 nC@5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 33 pF @ 5 V
  • 供应商设备包装 SC-70-3(SOT323)
  • 色彩/颜色 黑色

NTS4001NT1G 产品详情

这是一个30 V N沟道功率MOSFET。

特色

  • 用于快速开关的低栅极电荷
  • 占地面积小-比TSOP-6小30%
  • ESD保护门
  • 符合RoHS

应用

  • 低压侧负载开关
  • 锂离子电池供电设备
  • 降压转换器
  • 水平移位
  • 手机
  • PDA
  • 差示扫描量热法


(图片:引出线)

NTS4001NT1G所属分类:分立场效应晶体管 (FET),NTS4001NT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NTS4001NT1G价格参考¥0.237386,你可以下载 NTS4001NT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NTS4001NT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

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