9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI2302CDS-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI2302CDS-T1-GE3参考价格为0.53000美元。Vishay Siliconix SI2302CDS-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3。您可以下载SI2302CDS-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI2302CDS-T1-E3是MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT-23，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI2302CDS E3的部件别名，该产品提供单位重量功能，如0.050717盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及to-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为SOT-23-3（TO-236），配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为710mW，晶体管类型为1 N沟道，漏极到源极电压Vdss为20V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为2.6A（Ta），最大Id Vgs的Rds为57 mOhm@3.6A，4.5V，Vgs最大Id为850mV@250μA，栅极电荷Qg Vgs为5.5nC@4.5V，Pd功耗为710 mW，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为7纳秒，上升时间为7 ns，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为2.6 A，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Rds导通-漏极电阻为57毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30 ns，并且典型的开启延迟时间是8ns，并且信道模式是增强。
SI2302BDS-T1-GE3，带有VISHAY制造的用户指南。SI2302BDS-T1-GE3采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
SI2302CDS，带有VISHAY制造的电路图。SI2302CDS在SOT23封装中提供，是FET的一部分-单个。
