9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI2307CDS-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI2307CDS-T1-GE3参考价格为0.53000美元。Vishay Siliconix SI2307CDS-T1-GE3封装/规格：MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3。您可以下载SI2307CDS-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI2307CDS-T1-E3是MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI2307DDS-E3的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.050717盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及to-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为SOT-23-3（TO-236），配置为单，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为1.8W，晶体管类型为1 P沟道，漏极-源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为340pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为3.5A（Tc），最大Id Vgs的Rds为88 mOhm@3.5A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为6.2nC@4.5V，Pd功耗为1.1W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为40 ns，上升时间为40纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为2.7 A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Rds漏极源极电阻为880 mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为20ns，典型接通延迟时间为40ns，信道模式为增强。
SI2307CDS，带有VISHAY制造的用户指南。SI2307CDS在SOT23-3封装中提供，是FET的一部分-单个。
SI2307CDS A7SHB，电路图由CJ制造。SI2307CDS A7SHB采用SOT23-3封装，是IC芯片的一部分。
