英飞凌的双功率MOSFET集成了两个HEXFET®器件，以提供节省空间、成本效益高的开关解决方案，适用于电路板空间较高的高组件密度设计。提供多种封装选项，设计者可以选择双N通道配置。
特色
- 用于宽SOA的平面单元结构
- 针对分发合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
- 根据JEDEC标准进行产品鉴定
- 硅优化用于低于100kHz的应用切换
- 行业标准表面安装电源组件
- 能够进行波峰焊接
IRFL4310TRPBF
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.6A（Ta） 最大功耗: 1W（Ta） 供应商设备包装: SOT-223 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 6.66346 | 6.66346 |
| 10+ | 5.87399 | 58.73992 |
| 100+ | 4.50146 | 450.14620 |
| 500+ | 3.55829 | 1779.14600 |
| 1000+ | 2.96524 | 2965.24300 |
| 2500+ | 2.96524 | 7413.10750 |
- 库存: 0
- 单价: ¥6.08404
-
数量:
- +
- 总计: ¥6.66
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压标 (Vdss) 100伏
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 1.6A（Ta）
- 最大功耗 1W（Ta）
- 包装/外壳 至261-4，至261AA
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 25 nC@10 V
- 供应商设备包装 SOT-223
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 330 pF @ 25 V
- 导通电阻 Rds(ON) 200欧姆@1.6A，10V
- 色彩/颜色 黑色
IRFL4310TRPBF 产品详情
双N沟道功率MOSFET，Infineon
IRFL4310TRPBF 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IRFV064 | 英飞凌 (Infineon) | IRFV064 | ¥1,575.83775 |
 | IRF3205PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 110A（Tc） 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥12.96479 |
| IRFU7746PBF | TRENCH 40<-<100V | ¥3.59458 | |
| IRF60B217 | TRENCH 40<-<100V | ¥4.0955 | |
| IRFI3306GPBF | IRFI3306G - 60V SINGLE N-CHANNEL | ¥12.35349 | |
| IRFZ46ZSPBF | IRFZ46 - 12V-300V N-CHANNEL POWE | ¥4.76061 | |
 | IRFZ24NPBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 17A（Tc） 最大功耗: 45W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥5.93918 |
 | IRF3710PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 57A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥14.19608 |
 | IRFB4228PBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 83A (Tc) 最大功耗: 330W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -40摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥30.63747 |
 | IRFZ34NPBF | 英飞凌 (Infineon) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 55 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 29A（Tc） 最大功耗: 68W (Tc) 供应商设备包装: TO-220AB 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥7.89476 |
IRFL4310TRPBF所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IRFL4310TRPBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IRFL4310TRPBF价格参考￥6.084036，你可以下载 IRFL4310TRPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IRFL4310TRPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
