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CSD25484F4T是MOSFET 20V P-Ch FemtoFET MOSFET，包括CSD25484F4系列，它们设计为使用卷轴封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供Femto FET等商标功能，封装盒设计用于LGA-3以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有500 mW的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为8.5 ns，上升时间为5 ns，Vgs栅极-源极电压为-12 V，Id连续漏极电流为-2.5 a，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Vgs第栅极-源极阈值电压为-1.2 V，Rds导通漏极-漏极电阻为825 mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为18 ns，典型接通延迟时间为9.5 ns，Qg栅极电荷为1090 pC，正向跨导最小值为3.5 S，沟道模式为增强。
CSD25484F4是MOSFET 20V P-Ch FemtoFET MOSFET，包括-1.2 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在-12V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于-20 V，具有典型的开启延迟时间特性，如9.5 ns，典型的关闭延迟时间设计为18 ns，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为CSD25484F4系列，该器件具有5 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为825 mOhms，Qg栅极电荷为1090 pC，Pd功耗为500 mW，封装为卷轴式，封装盒为LGA-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为-2.5 A，正向跨导最小值为3.5 S，下降时间为8.5 ns，配置为单一，信道模式为增强。
CSD25483F4是“TI制造的MOSFET 20V。CSD25483F4SOT883封装中提供，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持”MOSFET 20V、P沟道20V 1.6A（Ta）500mW（Ta）表面安装3-PICOSTAR、Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3-Pin PICOSTART/R、MOSFET 20V P-CH FemtoFET MOSFET。
CSD25483F4T采用TI制造的EDA/CAD型号。CSD25483F4 T采用未知封装，是IC芯片的一部分，P沟道20V 1.6A（Ta）500mW（Ta）表面贴装3-PICOSTAR，Trans MOSFET P-CH 20V 1.6A 3引脚PICOSTART/R，MOSFET 20V，P-CH FemtoFET MOSFET。
