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STB100N6F7带有引脚细节，包括管封装，其设计为在0.13932盎司单位重量下工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数的通道，该设备也可以用作单配置。此外，Pd功耗为125 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为55.5 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为100 A，Vds漏极-源极击穿电压为60 V，第Vgs栅极-源极阈值电压为2V，Rds漏极-源极电阻为5.6mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为28.6ns，典型接通延迟时间为21.6ns，Qg栅极电荷为30nC，沟道模式为增强。
STB100NF03L-03-1是MOSFET N-CH 30V 100A I2PAK，包括16 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如35 ns，典型的关闭延迟时间设计为115 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件在STB100NF03L-03系列中提供，该器件的上升时间为315 ns，漏极电阻Rds为3.2 mOhms，Pd功耗为300 W，封装为管，封装外壳为I2PAK-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+175 C，Id连续漏电流为100 A，下降时间为95 ns，配置为单一，通道模式为增强。
STB100NF03L，带有ST制造的电路图。STB100RF03L以TO-263封装形式提供，是FET的一部分-单个。
