9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQ2310ES-T1_GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQ2310ES-T1_GE3参考价格为0.94000美元。Vishay Siliconix SQ2310ES-T1_GE3封装/规格：MOSFET N-CH 20V 6A TO236。您可以下载SQ2310ES-T1_GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SQ2310ES-T1_GE3价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
9icnet.com上标记的生产状态仅供参考。如果你没有找到你想要的，你可以通过电子邮件获得更多有价值的信息，如SQ2310ES-T1-GE3库存数量、优惠价格、数据表和制造商。我们很高兴收到您的来信，所以请随时与我们联系。
SQ2310ES-T1_GE3，带引脚细节，包括TrenchFETR系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及to-236-3、SC-59、SOT-23-3包装箱，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有供应商器件封装的TO-236，配置为单一，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，最大功率为2W，漏极到源极电压Vdss为20V，输入电容Ciss Vds为485pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为6A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为30mOhm@5A，4.5V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为8.5nC@4.5V，Pd功耗为2W，其最大工作温度范围为+175 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为9 ns，上升时间为8 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-8 V，Id连续漏极电流为6 A，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，Vgs栅-源极阈值电压为0.6 V，Rds漏极源极电阻为30 mΩ，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为21ns，典型接通延迟时间为7ns，Qg栅极电荷为4.5nC，正向跨导Min为27S。
SQ2308CES-T1-GE3是VISHAY制造的MOSFET N-CH 60V 2.3A TO236。SQ2308CES-T1-GE3采用TO-236-3、SC-59、SOT-23-3封装，是IC芯片的一部分，支持MOSFET N-CH 60V 2.3A TO236。
SQ2308ES-T1-GE3，带有VISHAY制造的电路图。SQ2308ES-T1-GE3采用SOT23封装，是IC芯片的一部分。
SQ2309ES-T1-GE3，带有VIS制造的EDA/CAD模型。SQ2309ES-T1-GE3采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
