RYM002N05T2CL

规格参数

• 长（英寸） -
• 部件状态 可供货
• 场效应管类型 n通道
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 场效应管特性 -
• 安装类别 表面安装
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
• 制造厂商 罗姆 (Rohm)
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
• 工作温度 150摄氏度（TJ）
• 漏源电流 (Id) @ 温度 200毫安（Ta）
• 最大功耗 150mW（Ta）
• 供应商设备包装 VMT3
• 包装/外壳 SOT-723
• 漏源电压标 (Vdss) 50 V
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 0.9伏、4.5伏
• 导通电阻 Rds(ON) 2.2欧姆@200毫安，4.5V
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 800mV @ 1毫安
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 26 pF@10 V