9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的DMP2120U-7，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。DMP2120U-7参考价格为0.41000美元。Diodes Incorporated DMP2120U-7封装/规格：MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23。您可以下载DMP2120U-7英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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DMP210DUDJ-7是MOSFET 2P-CH 20V 0.2A SOT-963，包括DMP210系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装外壳功能，如SOT-963，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为2信道，该设备在SOT-963供应商设备包中提供，该设备具有双重配置，FET类型为2 P信道（双重），最大功率为330mW，晶体管类型为2 P-信道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为27.44pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为200mA，最大Id Vgs的Rds为5.5 Ohm@100mA，4.5V，Vgs最大Id为1.15V@250μA，Pd功耗为330 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为31.5 ns，上升时间为19.3 ns，Vgs栅源电压为8 V，并且Id连续漏极电流为-200 mA，Vds漏极-源极击穿电压为-20 V，Vgs栅极-源极阈值电压为-1.15 V，Rds导通漏极-漏极电阻为5.5欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为25.9 ns，典型导通延迟时间为7.7 ns，正向跨导最小值为150 S，并且信道模式是增强。
DMP210DUFB4-7是MOSFET P-CH 20V 0.2A X2-DFN1006，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在-1 V Vgs th栅极-源极阈值电压下工作，Vgs栅极-源电压显示在数据表注释中，用于10 V，提供Vds漏极-源极击穿电压功能，如-20 V，典型开启延迟时间设计为7.7 ns，该器件还可以用作1P沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为P沟道，该器件采用Si技术，该器件具有供应商器件封装的X2-DFN1006-3，系列为DMP210，上升时间为19.3ns，Rds On Max Id Vgs为5 Ohm@100mA，4.5V，Rds On Drain Source电阻为15 Ohm，功率最大值为350mW，Pd功耗为350mW，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为3-XFDFN，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1个通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150°C，输入电容Ciss Vds为175pF@15V，Id连续漏极电流为-200 mA，FET类型为MOSFET P沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为31.5 ns，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为200mA（Ta），配置为单沟道，沟道模式为增强型。
DMP210DUFB4-7B是MOSFET P-CH 20V 0.2A X2-DFN1006，包括增强信道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了31.5 ns的下降时间，提供了连续漏电流特性，如-200 mA，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用X2-DFN1006-3封装盒，该器件具有一个封装盘，Pd功耗为350mW，Rds漏极源极电阻为15欧姆，上升时间为19.3ns，系列为DMP210，技术为Si，晶体管极性为P信道，晶体管类型为1 P信道，典型关断延迟时间为25.9ns，典型接通延迟时间为7.7ns，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs栅极-源极电压为10V，Vgs栅-源极阈值电压为-1V。
DMP210DUFB4.TCT，带有DIODES制造的EDA/CAD模型。DMP210DUFB4.TCT采用SOT523封装，是IC芯片的一部分。
