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SI7431DP-T1-GE3是MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8，包括SI74xxDx系列，它们设计用于卷筒包装，数据表注释中显示了用于SI7431DP-GE3的部件别名，该SI7431DPE-GE3提供单位重量功能，例如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT以及SO-8封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型P信道，Pd功耗为1.9 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为49 ns，上升时间为49纳秒，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为2.2A，Vds漏极-源极击穿电压为-200 V，Rds导通漏极-电源电阻为174 mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为110 ns，典型接通延迟时间为23 ns，沟道模式为增强。
SI7431DP-T1-E3是MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8，包括20 V Vgs栅极-源极电压，设计用于-200 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如23 ns，典型的关闭延迟时间设计为110 ns，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为SI74xxDx系列，该器件的上升时间为49 ns，漏极-源极电阻Rds为174 mOhms，Pd功耗为1.9 W，零件别名为SI7431DP-E3，封装为卷轴式，封装盒为SO-8，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为2.2 A，下降时间为49 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SI7434DP，带有SI制造的电路图。SI7434DPQFN-8封装，是FET的一部分-单个。
