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SI7148DP-T1-E3是MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装。数据表注释中显示了用于SI7148DP E3的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及TrenchFET商品名，该设备也可以用作PowerPAKR SO-8封装盒。此外，该技术为Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，通道数为1通道，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为96W，晶体管类型为1 N通道，漏极-源极电压Vdss为75V，输入电容Cis-Vds为2900pF@35V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为28A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为11mOhm@15A，10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为100nC@10V，Pd功耗为5.4W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为100纳秒，上升时间为255纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为28 A，Vds漏极-源极击穿电压为75 V，Rds导通-漏极电阻为11毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为39纳秒，典型的接通延迟时间为33ns，正向跨导最小值为60S，信道模式为增强。
SI7148DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 75V 28A PPAK SO-8，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在75 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该设备也可以用作SI71xxDx系列。此外，Rds漏极-源极电阻为11 mOhm，该器件提供5.4 W Pd功耗，该器件具有SI7148DP-GE3零件别名，封装为卷筒，封装外壳为SO-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，并且Id连续漏极电流为28A，并且配置为单一。
SI7148DP，带有SI制造的电路图。SI7148D可在QFN-8封装中获得，是FET的一部分-单个。
