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IRLTS2242TRPBF

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6.9A (Ta) 最大功耗: 2W(Ta) 供应商设备包装: 6-TSOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 4.12845 4.12845
10+ 3.56350 35.63507
100+ 2.65959 265.95930
500+ 2.09001 1045.00550
1000+ 1.61494 1614.94900
3000+ 1.58329 4749.89400
  • 库存: 0
  • 单价: ¥4.12845
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥4.13
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 2.5伏、4.5伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.1V@10A.
  • 供应商设备包装 6-TSOP
  • 包装/外壳 SOT-23-6
  • 最大功耗 2W(Ta)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 6.9A (Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 32毫欧姆 @ 6.9A, 4.5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 905 pF @ 10 V
  • 色彩/颜色 黑色

IRLTS2242TRPBF 产品详情

P沟道功率MOSFET 12V至20V,Infineon

英飞凌的一系列分立HEXFET®功率MOSFET包括表面安装的P沟道器件和引线封装以及可以解决几乎任何电路板布局和热设计挑战的形状因素。在整个范围内,电阻基准降低了传导损耗,使设计人员能够提供最佳的系统效率。

特色

  • 针对分发合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
  • 超级逻辑电平:针对4.5 V栅极驱动电压进行优化,能够提供2.5 V栅极驱动
  • 与高端配置中的N通道相比,降低了设计复杂性
  • 与N通道相比,微控制器接口更简单
  • 行业标准表面安装电源组件
  • 能够进行波峰焊接
IRLTS2242TRPBF所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IRLTS2242TRPBF 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRLTS2242TRPBF价格参考¥4.128453,你可以下载 IRLTS2242TRPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRLTS2242TRPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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