英飞凌的一系列分立HEXFET®功率MOSFET包括表面安装的P沟道器件和引线封装以及可以解决几乎任何电路板布局和热设计挑战的形状因素。在整个范围内,电阻基准降低了传导损耗,使设计人员能够提供最佳的系统效率。
特色
- 针对分发合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
- 超级逻辑电平:针对4.5 V栅极驱动电压进行优化,能够提供2.5 V栅极驱动
- 与高端配置中的N通道相比,降低了设计复杂性
- 与N通道相比,微控制器接口更简单
- 行业标准表面安装电源组件
- 能够进行波峰焊接
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 4.12845 | 4.12845 |
10+ | 3.56350 | 35.63507 |
100+ | 2.65959 | 265.95930 |
500+ | 2.09001 | 1045.00550 |
1000+ | 1.61494 | 1614.94900 |
3000+ | 1.58329 | 4749.89400 |
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英飞凌的一系列分立HEXFET®功率MOSFET包括表面安装的P沟道器件和引线封装以及可以解决几乎任何电路板布局和热设计挑战的形状因素。在整个范围内,电阻基准降低了传导损耗,使设计人员能够提供最佳的系统效率。
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。