DMP21D0UFB4-7B

Name: DMP21D0UFB4-7B
Brand: 达尔科技 (Diodes rporated)
SKU: 7134364-DMP21D0UFB4-7B
Price: 2.969589 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 20伏漏源电流 (Id) @ 温度: 770毫安 (Ta) 最大功耗: 430mW (Ta) 供应商设备包装: X2-DFN1006-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
交期:5-7 工作日

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1+	2.96958	2.96958
10+	2.23805	22.38056
100+	1.39281	139.28100
500+	0.95287	476.43800
1000+	0.73298	732.98100
2000+	0.65968	1319.36600
5000+	0.62303	3115.17000
10000+	0.56806	5680.61000

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规格参数

部件状态可供货
技术 MOSFET（金属氧化物）
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
场效应管类型 P-通道
漏源电压标 (Vdss) 20伏
制造厂商达尔科技 (Diodes rporated)
最大栅源极电压 (Vgs) ±8V
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 700mV @ 250A
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 1.8伏、4.5伏
包装/外壳 3-XFDFN
最大功耗 430mW (Ta)
供应商设备包装 X2-DFN1006-3
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 80 pF @ 10 V
漏源电流 (Id) @ 温度 770毫安 (Ta)
导通电阻 Rds(ON) 495毫欧姆 @ 400毫安, 4.5V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 1.54 nC@8 V
色彩/颜色 -

DMP21D0UFB4-7B 产品详情

说明和应用
该MOSFET被设计为最小化导通电阻（RDS（on）），同时保持优异的开关性能，是高效电源管理应用的理想选择。

功能和优点
 占地面积仅为0.6mm2–比SOT23小13倍
 0.4mm剖面–适用于低剖面应用
 低栅极阈值电压
 快速切换速度
 ESD保护门3KV
 完全无铅且完全符合RoHS（注释1和2）
 无卤素和锑。“绿色”设备（注3）
 符合AEC-Q101高可靠性标准

（图片：引线/示意图）

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DMP21D0UFB4-7B所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，DMP21D0UFB4-7B 由达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。DMP21D0UFB4-7B价格参考￥2.969589，你可以下载 DMP21D0UFB4-7B中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询DMP21D0UFB4-7B规格参数、现货库存、封装信息等信息！