NTA4151PT1G

Name: NTA4151PT1G
Brand: 安盛美 (onsemi)
SKU: 7134381-NTA4151PT1G
Price: 0.551185 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 20伏漏源电流 (Id) @ 温度: 760毫安 (Tj) 最大功耗: 301mW (Tj) 供应商设备包装: SC-75，SOT-416 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 安盛美 (onsemi)
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规格参数

长（英寸） -
制造厂商安盛美 (onsemi)
部件状态可供货
技术 MOSFET（金属氧化物）
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
场效应管类型 P-通道
漏源电压标 (Vdss) 20伏
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 1.8伏、4.5伏
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.2V@250A.
导通电阻 Rds(ON) 360毫欧姆 @ 350毫安, 4.5V
包装/外壳 SC-75，SOT-416
最大栅源极电压 (Vgs) ±6V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 2.1 nC @ 4.5 V
供应商设备包装 SC-75，SOT-416
漏源电流 (Id) @ 温度 760毫安 (Tj)
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 156 pF@5V
最大功耗 301mW (Tj)
色彩/颜色黑色

NTA4151PT1G 产品详情

小信号MOSFET-20 V，540 mA，单P通道，栅齐纳，SC-75和SC-89

特色

低RDS（开启）可提高效率并延长电池寿命
小外形包装（1.6 x 1.6 mm）
ESD保护门
符合RoHS

应用

隐藏侧负荷开关
DC-DC转换
小型驱动电路
电池操作系统，如手机、PDA、数码相机等。

（图片：引出线）

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型号	制造商	描述	价格
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NTA1212MC	村田电子制作所 (Elcom)	电压输出2: -12伏功率（瓦特）: 1 W 效率值: 75% 包装/外壳: 18-SMD Module, 10 Leads 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度安装类别: 表面安装	¥57.58106
NTA1215MC	村田电子制作所 (Elcom)	电压输出2: -15伏功率（瓦特）: 1 W 效率值: 76% 包装/外壳: 18-SMD Module, 10 Leads 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度安装类别: 表面安装	¥57.58106

NTA4151PT1G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NTA4151PT1G 由安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NTA4151PT1G价格参考￥0.551185，你可以下载 NTA4151PT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NTA4151PT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！