9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4378DY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4378DY-T1-GE3参考价格$8.25。Vishay Siliconix SI4378DY-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 20V 19A 8SO。您可以下载SI4378DY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI4378DY-T1-E3是MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC，包括卷轴封装，它们设计用于SI4378DY E3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于SOIC窄8，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有1.6 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为65 ns，上升时间为65纳秒，Vgs栅源电压为12 V，Id连续漏电流为19 a，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Rds导通漏极-漏极电阻为27mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为140ns，典型接通延迟时间为85ns，沟道模式为增强。
SI4376DY-T1-E3，带有VISHAY制造的用户指南。SI4376DY-T1-E3采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
SI4378DY，带有SI制造的电路图。SI4378D可在SOP-8封装中获得，是FET的一部分-单个。
SI4378DY-T1，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SI4378DY-T1在SOP-8封装中提供，是FET的一部分-单个。
