9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI2318DS-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI2318DS-T1-E3参考价格为0.55000美元。Vishay Siliconix SI2318DS-T1-E3封装/规格：MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3。您可以下载SI2318DS-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI2318CDS-T1-GE3是MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT-23，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI2318CDS GE3的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.050717盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及to-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为SOT-23-3（TO-236），配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2.1W，晶体管类型为1 N沟道，漏极-源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为340pF@20V，FET特性为标准，25°C时的电流连续漏极Id为5.6A（Tc），最大Id Vgs的Rds为42mOhm@4.3A，10V，Vgs最大Id为2.5V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为9nC@10V，Pd功耗为2.1W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，Id连续漏极电流为5.6 A，Vds漏极-源极击穿电压为40 V，Rds漏极源极电阻为35 mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为5.8 nC，正向跨导最小值为17 S。
Si2318CDS-T1-E3/P9，带有30000VISHAY制造的用户指南。Si2318CDS-T1-E3/P9采用SOT23-3封装，是IC芯片的一部分。
SI2318DS，电路图由89K制造。SI2318DS采用SOT-23封装，是IC芯片的一部分。
