9icnet为您提供由Nexperia USA Inc.设计和生产的BSP89115,该产品在9icnet现场销售,可以通过原厂和代理商等渠道购买。BSP89115参考价格为0.61000美元。Nexperia USA Inc.股份有限公司BSP89115封装/规格:MOSFET N-CH 240V 375MA SOT223。您可以下载BSP89115英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的,你可以通过电子邮件或在线信息联系我们,如BSP89115价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
带有引脚细节的BSP89 H6327,包括BSP89系列,它们设计用于卷筒包装,数据表注释中显示了用于BSP89H6327XTSA1 SP001058794的零件别名,该产品提供SMD/SMT等安装样式功能,封装盒设计用于PG-SOT223以及Si技术,该设备也可以用作1信道数信道。此外,该配置为单一配置,该器件为1 P沟道晶体管类型,该器件具有1.8 W的Pd功耗,其最大工作温度范围为+150 C,其最小工作温度范围是-55 C,下降时间为18.4 ns,上升时间为3.5 ns,Vgs栅源电压为+/-20 V,并且Id连续漏极电流为350mA,Vds漏极-源极击穿电压为240V,Vgs栅极-源极阈值电压为1.4V,Rds导通漏极-漏极电阻为6欧姆,晶体管极性为P沟道,典型关断延迟时间为18.4ns,典型接通延迟时间为4ns,Qg栅极电荷为4.3nC,前向跨导Min为360mS,信道模式为增强。
BSP89 E-6327是西门子制造的MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223。BSP89 E-6327在TO-261-4、TO-261AA封装中提供,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET N-CH 240V 350MA SOT-223。
BSP89 L6327,带有INFINEON制造的电路图。BSP89 L6327在SOT223封装中提供,是FET的一部分-单个。