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FDC638APZ

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Ta) 最大功耗: 1.6W(Ta) 供应商设备包装: SuperSOT-6. 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 3.98359 3.98359
10+ 3.41864 34.18649
100+ 2.55239 255.23980
500+ 2.00512 1002.56200
1000+ 1.54947 1549.47400
3000+ 1.45002 4350.08700
  • 库存: 0
  • 单价: ¥3.98360
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3.98
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 2.5伏、4.5伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.5V@250A.
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 20伏
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 4.5A (Ta)
  • 最大功耗 1.6W(Ta)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V
  • 供应商设备包装 SuperSOT-6.
  • 包装/外壳 SOT-23-6薄型,TSOT-23-6
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1000 pF@10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 43毫欧姆 @ 4.5A, 4.5V
  • 色彩/颜色 -

FDC638APZ 产品详情

PowerTrench®P沟道MOSFET,Fairchild半导体

PowerTrench®MOSFET是经过优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。它们结合了小栅极电荷(Qg)、小反向恢复电荷(Qrr)和软反向恢复体二极管,有助于快速切换AC/DC电源中的同步整流。
最新的PowerTrench®MOSFET采用了提供电荷平衡的屏蔽栅极结构。通过利用这一先进技术,这些设备的FOM(品质因数)显著低于前几代设备。
PowerTrench®MOSFET的软体二极管性能能够消除缓冲电路或更换更高额定电压的MOSFET。

特色

  • VGS=-4.5V,ID=-4.5A时,最大rDS(ON)=43mΩ
  • VGS=-2.5V,ID=-3.8A时,最大rDS(ON)=68mΩ
  • 低栅极电荷(典型值为8nC)。
  • 用于极低rDS的高性能沟槽技术(开启)
  • 超级SOT™ -6封装:占地面积小(比标准SO¨C8小72%),外形小巧(1mm厚)。
  • 符合RoHS
  • 使用绿色包装材料制造。
  • 无卤化物

应用

  • 本产品通用,适用于许多不同的应用。
FDC638APZ所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDC638APZ 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDC638APZ价格参考¥3.983595,你可以下载 FDC638APZ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDC638APZ规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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