PowerTrench®MOSFET是经过优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。它们结合了小栅极电荷(Qg)、小反向恢复电荷(Qrr)和软反向恢复体二极管,有助于快速切换AC/DC电源中的同步整流。
最新的PowerTrench®MOSFET采用了提供电荷平衡的屏蔽栅极结构。通过利用这一先进技术,这些设备的FOM(品质因数)显著低于前几代设备。
PowerTrench®MOSFET的软体二极管性能能够消除缓冲电路或更换更高额定电压的MOSFET。
特色
- VGS=-4.5V,ID=-4.5A时,最大rDS(ON)=43mΩ
- VGS=-2.5V,ID=-3.8A时,最大rDS(ON)=68mΩ
- 低栅极电荷(典型值为8nC)。
- 用于极低rDS的高性能沟槽技术(开启)
- 超级SOT™ -6封装:占地面积小(比标准SO¨C8小72%),外形小巧(1mm厚)。
- 符合RoHS
- 使用绿色包装材料制造。
- 无卤化物
应用
- 本产品通用,适用于许多不同的应用。