9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI3493BDV-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI3493BDV-T1-E3参考价格为1.01000美元。Vishay Siliconix SI3493BDV-T1-E3封装/规格：MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP。您可以下载SI3493BDV-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI3483CDV-T1-GE3是MOSFET P-CH 30V 8A 6-TSOP，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI3483CDV-GE3的零件别名，该SI3483CDV-GE3提供单位重量功能，例如0.000705盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装盒中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为6-TSOP，配置为单，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为4.2W，晶体管类型为1个P通道，漏极-源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为1000pF@15V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为8A（Tc），最大Id Vgs的Rds为34mOhm@6.1A，10V，Vgs的最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为33nC@10V，Pd功耗为2W，其最大工作温度范围为+150℃，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为15 ns 10 ns，上升时间为135 ns 15 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为6.1 A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Rds漏极源极电阻为34 mΩ，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为25 ns 30 ns，典型开启延迟时间为45ns 10ns，信道模式为增强。
SI3483CDV-T1-E3是MOSFET P-CH 30V 8A 6-TSOP，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000705盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如45 ns 10 ns，典型的关闭延迟时间设计为25 ns 30 ns，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为135 ns 15 ns，器件的漏极-源极电阻为34 mOhms，Pd功耗为2 W，零件别名为SI3483CDV-E3，封装为卷轴式，封装盒为TSOP-6，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为6.1 A，下降时间为15 ns 10 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SI3483DV-T1-E3是由FAIRCHILD制造的MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-TSOP。SI3483DV-T1-E3采用SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH 30V 4.7A 6-TSOP、P沟道30V 4.7V（Ta）1.14W（Ta）表面安装6-TSOP和Trans-MOSFET P-CH 30 V 4.7A 6-引脚TSOP T/R。
