9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFBE20PBF-BE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFBE20PBF-BE3价格参考1.64000美元。Vishay Siliconix IRFBE20PBF-BE3封装/规格：MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB。您可以下载IRFBE20PBF-BE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFBC40SPBF是MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK，包括管封装，它们设计用于0.050717盎司单位重量的操作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供3.1 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为18 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为6.2 A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds漏极漏极-漏极电阻为1.2欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为55ns，典型接通延迟时间为13ns，沟道模式为增强。
IRFBC40STRLPBF是MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在600 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.050717盎司，具有典型的开启延迟时间特性，如13 ns，典型的关闭延迟时间设计为55 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为18 ns，器件的漏极-源极电阻为1.2欧姆，Pd功耗为3.1 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为6.2A，下降时间为20ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRFBE20是由IR制造的MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB。IRFBE2可在TO-220-3封装中获得，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH800V 1.8A-TO-220AA、N沟道800V 1.8A/Tc 54W（Tc）通孔TO-220AC。
