9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRF9Z10PBF-BE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF9Z10PBF-BE3参考价格为1.70000美元。Vishay Siliconix IRF9Z10PBF-BE3封装/规格：MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB。您可以下载IRF9Z10PBF-BE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRF9956TRPBF是MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC，包括HEXFETR系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.019048盎司，提供SMD/SMT、，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2通道数量的通道，器件具有8-SO供应商器件封装，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），功率最大值为2W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为190pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为3.5A，最大Id Vgs上的Rds为100 mOhm@2.2A，10V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为14nC@10V，Pd功耗为2W，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为3.5A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds漏极源极电阻为200mOhm，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为6.9nC。
IRF9Z10是MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如11 ns，典型的关闭延迟时间设计为10 ns，以及1 P沟道晶体管类型，该器件也可以用作P沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为63 ns，器件的漏极电阻为500 mOhms，Pd功耗为43 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为6.7 A，下降时间为31 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRF9956TR是MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC，包括3.5A电流连续漏极Id 25°C，设计用于30V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于14nC@10V，除了190pF@15V输入电容Cis-Vds，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒，该器件具有封装带和卷轴（TR），最大功率为2W，最大Id Vgs的Rds为100 mOhm@2.2A，10V，系列为HEXFETR，供应商器件封装为8-SO，Vgs最大Id为1V@250μa。
