SFT1342-E

规格参数

• 长（英寸） -
• 制造厂商 安盛美 (onsemi)
• 部件状态 可供货
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
• 场效应管特性 -
• 漏源电压标 (Vdss) 60 V
• 安装类别 通孔
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 26 nC@10 V
• 场效应管类型 P-通道
• 包装/外壳 TO-251-3短引线，IPak，TO-251AA
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4V, 10V
• 工作温度 150摄氏度（TJ）
• 漏源电流 (Id) @ 温度 12A（Ta）
• 最大功耗 15W（Tc）
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.6V@1毫安
• 导通电阻 Rds(ON) 62毫欧姆 @ 6A, 10V
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1150 pF@20 V
• 供应商设备包装 IPAK/TP
• 色彩/颜色 -