9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRL530PBF-BE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRL530PBF-BE3参考价格为1.77000美元。Vishay Siliconix IRL530PBF-BE3封装/规格：MOSFET N-CH 100V 15A TO220AB。您可以下载IRL530PBF-BE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRL530NSTRRPBF是MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK，包括卷轴封装，它们设计用于0.079014盎司单位重量的操作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如D2PAK-3，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供3.8 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为26 ns，上升时间为53 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为17 A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为1V至2V，Rds导通漏极-漏极电阻为150m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为7.2ns，Qg栅极电荷为22.7nC，正向跨导最小值为7.7S，并且信道模式是增强。
IRL530NSTRLPBF是MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该器件也可以用作150毫欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，Qg栅极电荷为22.7nC，该器件提供3.8 W Pd功耗，该器件具有一个封装卷轴，封装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏电流为17A。
IRL530NSTRPBF，带有由IR制造的电路图。IRL530INSTRPBF采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
