9icnet为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的PSMN1R4-30YLDX，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。PSMN1R4-30YLDX价格参考1.64000美元。Nexperia USA Inc.PSMN1R4-30YLDX封装/规格：MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56。您可以下载PSMN1R4-30YLDX英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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PSMN1R2-30YLC，115是MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于SC-100、SOT-669、4-LFPAK包装箱，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于LFPAK、Power-SO8、，除了MOSFET N沟道、金属氧化物FET类型之外，该器件还可以用作215W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为30V，该器件提供5093pF@15V输入电容Ciss Vds，该器件具有逻辑电平门、4.5V FET驱动功能，25°C的电流连续漏极Id为100A（Tc），最大Id Vgs的Rds为1.25 mOhm@25A，10V，Vgs th Max Id为1.95V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为78nC@10V。
PSMN1R2-25YLC，115是MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK，包括1.95V@1mA Vgs th Max Id，它们设计用于LFPAK、Power-SO8供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于1.3 mOhm@25A，10V，提供功率最大功能，如179W，4-LFPAK包装箱，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供4173pF@12V输入电容Ciss Vds，该器件具有66nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为逻辑电平栅极，4.5V驱动，漏极到源极电压Vdss为25V，25°C的电流连续漏极Id为100A（Tc）。
PSMN1R2-30YLC，带有NXP制造的电路图。PSMN1R2-30YLC在SOT-669封装中提供，是FET的一部分-单个。
