9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRF9Z34PBF-BE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF9Z34PBF-BE3价格参考1.92000美元。Vishay Siliconix IRF9Z34PBF-BE3封装/规格：MOSFET P-CH 60V 18A TO220AB。您可以下载IRF9Z34PBF-BE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRF9Z34NSTRRPBF是MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK，包括卷轴封装，它们设计为以0.139332盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，器件提供68 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为41 ns，上升时间为55 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为19 A，Vds漏极-源极击穿电压为-55V，Rds导通漏极-漏极电阻为100mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为13ns，Qg栅极电荷为23.3nC，沟道模式为增强型。
IRF9Z34NSTRLPBF是MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-55V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供晶体管类型功能，如1个P沟道，晶体管极性设计为在P沟道中工作，以及Si技术，该器件也可以用作100毫欧姆Rds漏极-源极电阻。此外，Qg栅极电荷为23.3 nC，该器件提供68 W Pd功耗，该器件具有一卷封装，封装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，Id连续漏电流为19 a。
IRF9Z34NSTR，带有由IR制造的电路图。IRF9Z34 NSTR在T0-263封装中提供，是FET的一部分-单个。
