VDSS=100V
RDS(开启)=26.5mΩ
ID=36A
这款HEXFET®功率MOSFET专为汽车应用而设计,采用最新的工艺技术,实现每硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特点是175°C结工作温度、快速切换速度和改进的重复雪崩额定值。这些特点结合在一起,使该设计成为一种非常高效和可靠的设备,可用于汽车应用和各种其他应用
特色
● 先进工艺技术
● 超低导通电阻
● 175°C工作温度
● 快速切换
● 允许重复雪崩达Tjmax
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 13.25450 | 13.25450 |
10+ | 11.87111 | 118.71113 |
100+ | 9.25570 | 925.57020 |
500+ | 7.64589 | 3822.94750 |
1000+ | 6.70692 | 6706.92500 |
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VDSS=100V
RDS(开启)=26.5mΩ
ID=36A
这款HEXFET®功率MOSFET专为汽车应用而设计,采用最新的工艺技术,实现每硅面积极低的导通电阻。该设计的其他特点是175°C结工作温度、快速切换速度和改进的重复雪崩额定值。这些特点结合在一起,使该设计成为一种非常高效和可靠的设备,可用于汽车应用和各种其他应用
● 先进工艺技术
● 超低导通电阻
● 175°C工作温度
● 快速切换
● 允许重复雪崩达Tjmax
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。