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SIS443DN-T1-GE3

  • 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 35A (Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 52W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAK1212-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 6.75907 6.75907
100+ 6.13763 613.76330
500+ 5.85443 2927.21800
  • 库存: 870
  • 单价: ¥6.75907
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥6.76
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 制造厂商 威世半导体 (Vishay Cera-Mite)
  • 场效应管类型 P-通道
  • 漏源电压标 (Vdss) 40伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.3V@250A.
  • 供应商设备包装 PowerPAK1212-8
  • 包装/外壳 PowerPAK1212-8
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 35A (Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 135 nC@10 V
  • 最大功耗 3.7W (Ta), 52W (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 11.7毫欧姆@15A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4370 pF @ 20 V
  • 色彩/颜色 -

SIS443DN-T1-GE3 产品详情

SIS443DN-T1-GE3所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SIS443DN-T1-GE3 由 威世半导体 (Vishay Cera-Mite) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SIS443DN-T1-GE3价格参考¥6.759074,你可以下载 SIS443DN-T1-GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SIS443DN-T1-GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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