9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD25402Q3AT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD25402Q3AT参考价格为1.18000美元。德州仪器CSD25402Q3AT封装/规格：MOSFET P-CH 20V 15A/76A 8VSON。您可以下载CSD25402Q3AT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CSD25310Q2是MOSFET P-CH 20V 48A 6SON，包括NexFET？系列，它们设计为使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供NexFET等商品名功能，包装盒设计为在6-WDFN暴露焊盘以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，信道数为1信道，该设备采用6-WSON（2x2）供应商设备包提供，该设备具有单信道配置，FET类型为MOSFET P信道，金属氧化物，最大功率为2.9W，晶体管类型为1 P信道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为655pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为20A（Ta），最大Id Vgs的Rds为23.9 mOhm@5A，4.5V，Vgs最大Id为1.1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为4.7nC@4.5V，Pd功耗为2.9W，最大工作温度范围为+85 C，最小工作温度范围-40 C，下降时间为5 ns，上升时间为15 ns，Vgs栅极-源极电压为-8V，Id连续漏极电流为-9.6A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Vgs第栅极-源阈值电压为-850mV，Rds导通漏极-漏极电阻为23.9mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为15ns，典型接通延迟时间为8ns，Qg栅极电荷为3.6nC，正向跨导Min为34S。
CSD25401带有TI制造的用户指南。CSD25401采用QFN封装，是FET的一部分-单体。
CSD25401Q3是TI制造的MOSFET P-CH 20V 60A 8-SON。CSD25401Q2可在TSSOP-16封装中获得，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH20V 60A 8-SON、P沟道20V 14A（Ta）、60A（Tc）2.8W（Ta）表面安装8-VSON（3.3x3.3）。
