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IPA60R1K5CEXKSA1

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Tc) 最大功耗: 20W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-FP 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 981

数量 单价 合计
853+ 2.53501 2162.36779
  • 库存: 2500
  • 单价: ¥2.24530
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,486.85
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 包装/外壳 TO-220-3全套
  • 漏源电压标 (Vdss) 600 V
  • 供应商设备包装 PG-TO220-FP
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 9.4 nC @ 10 V
  • 最大功耗 20W(Tc)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 5A (Tc)
  • 场效应管特性 超级结
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.5V @ 90A
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.5欧姆@1.1A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 200 pF@100 V
  • 色彩/颜色 黑色

IPA60R1K5CEXKSA1 产品详情

英飞凌CoolMOS™C6/C7功率MOSFET
IPA60R1K5CEXKSA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IPA60R1K5CEXKSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IPA60R1K5CEXKSA1价格参考¥2.245299,你可以下载 IPA60R1K5CEXKSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IPA60R1K5CEXKSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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