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STP180N4F6

Name: STP180N4F6
Brand: 意法半导体 (STMicroelectronics)
SKU: 7134682-STP180N4F6
Price: 12.892362 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 40伏漏源电流 (Id) @ 温度: 120A（Tc）最大功耗: 190W（Tc）供应商设备包装: TO-220
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
交期:5-7 工作日

渠道:

自营
得捷
贸泽

起订量: 1

数量	单价	合计
1+	16.15166	16.15166
10+	14.51477	145.14772
100+	11.66686	1166.68630
500+	9.58554	4792.77200
1000+	8.71407	8714.07800

库存: 23
单价: ¥12.89236
数量:
- +
总计: ¥16.15

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规格参数

长（英寸） -
部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
场效应管特性 -
漏源电流 (Id) @ 温度 120A（Tc）
安装类别通孔
包装/外壳至220-3
开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
漏源电压标 (Vdss) 40伏
制造厂商意法半导体 (STMicroelectronics)
供应商设备包装 TO-220
导通电阻 Rds(ON) -
最大栅源极电压 (Vgs) -
最大输入电容 (Ciss) @ Vds -
工作温度 -
最大功耗 190W（Tc）
色彩/颜色黑色

STP180N4F6 产品详情

该器件是一种N沟道增强型功率MOSFET，使用STMicroelectronics的STripFET III技术生产，专门设计用于最小化导通电阻和栅极电荷，以提供优异的开关性能。

特色

超低通电阻
100%雪崩测试

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型号	制造商	描述	价格
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STP180N4F6所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，STP180N4F6 由意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。STP180N4F6价格参考￥12.892362，你可以下载 STP180N4F6中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询STP180N4F6规格参数、现货库存、封装信息等信息！